Простий
пошук
Розширений
пошук
Покажчики
Професійний
пошук
Рубрикатор
НБУВ
Розподілений
пошук

Бази даних

Наукова періодика України - результати пошуку

Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Наукова періодика України
Тематичний навігатор
Авторитетний файл імен осіб
Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"
Вид пошуку
Повнотекстовий пошук
 Знайдено в інших БД:Реферативна база даних (8)
Список видань за алфавітом назв:
A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  L  M  N  O  P  R  S  T  U  V  W  
А  Б  В  Г  Ґ  Д  Е  Є  Ж  З  И  І  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Э  Ю  Я  

Авторський покажчик    Покажчик назв публікацій


Пошуковий запит: (<.>A=Golenkov A$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 6
Представлено документи з 1 до 6
1.

Golenkov A. G. 
Sub-THz nonresonant detection in AlGaN/GaN heterojunction FETs [Електронний ресурс] / A. G. Golenkov, K. S. Zhuravlev, J. V. Gumenjuk-Sichevska, I. O. Lysiuk, F. F. Sizov // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2015. - Vol. 18, № 1. - С. 40-45. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2015_18_1_9
Un-cooled AlGaN/GaN-based heterojunction field-effect transistors (HFET) designed on sapphire (0001) substrates were considered as 140 GHz direct detection detectors without any specially attached antennas. The noise equivalent power (NEP) of these detectors was ~ 10<^>-10 W/Hz<^>1/2 in the observed radiation frequency range at ambient temperatures. It has been shown that the ultimate value for the AlGaN/GaN HFET detectors (in 0,25-<$Emu>m technology) can reach <$ENEP sub roman opt ~symbol Ы~6~cdot~10 sup -12> W/Hz<^>1/2, and it is 3-fold lower than that for Si MOSFET (in 0,35-<$Emu>m technology).
Попередній перегляд:   Завантажити - 508.187 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
2.

Golenkov A. G. 
Performance limits of terahertz zero biased rectifying detectors for direct detection [Електронний ресурс] / A. G. Golenkov, F. F. Sizov // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2016. - Vol. 19, № 2. - С. 129-138. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2016_19_2_3
Performance limits of uncooled unbiased field effect transistors (FETs) and Schottky-barrier diodes (SBDs) as direct detection rectifying terahertz (THz) detectors operating in the broadband regime have been considered in this paper. Some basic extrinsic parasitics and detector-antenna impedance matching were taken into account. It has been concluded that, in dependence on radiation frequency, detector and antenna parameters, the ultimate optical responsivity (Ropt) and optical noise equivalent power (NEPopt) of FETs in the broadband detection regime can achieve Ropt ~ 23 kV/W and NEPopt ~ · 10-12 W/Hz1/2, respectively. At low radiation frequency Ʋ in the THz spectral region the NEPopt of SBD detectors can be better by a factor of ~ 1,75 as compared to that of Si MOSFETs (metal oxide semiconductor FETs) and GaAlN/GaN HFETs (heterojunction FETs) with comparable device impedances.
Попередній перегляд:   Завантажити - 332.438 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
3.

Sizov F. F. 
Detection of IR and sub/THz radiation using MCT thin layer structures: design of the chip, optical elements and antenna pattern [Електронний ресурс] / F. F. Sizov, Z. F. Tsybrii, V. V. Zabudsky, M. V. Sakhno, A. V. Shevchik-Shekera, S. Ye. Dukhnin, A. G. Golenkov, E. Dieguez, S. A. Dvoretsky // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2016. - Vol. 19, № 2. - С. 149-155. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2016_19_2_5
Two-color un-cooled narrow-gap MCT (mercury-cadmium-telluride) semiconductor thin layers, grown by liquid phase epitaxy or molecular beam epitaxy methods on high resistivity CdZnTe or GaAs substrates, with bow-type antennas were considered both as sub-terahertz direct detection bolometers and 3 - 10-micrometer infrared photoconductors. Optical system with aspheric THz lenses were designed and manufactured. An antenna pattern of structures on the thick substrate was discussed, and sensitivity of detector in both IR and sub-THz regions was measured.
Попередній перегляд:   Завантажити - 571.028 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
4.

Shevchik-Shekera A. 
Designing and manufacturin polysterene lenses for the terahertz region [Електронний ресурс] / A. Shevchik-Shekera, V. Zabudsky, A. Golenkov, S. Dvoretsky // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2018. - Vol. 21, № 1. - С. 83-88. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2018_21_1_12
Попередній перегляд:   Завантажити - 580.272 Kb    Зміст випуску     Цитування
5.

Kozina Z. L. 
Comparative characteristics of anthropometric indicators, level of physical and technical readiness of young players of 12 and 15 years of different playing fields [Електронний ресурс] / Z. L. Kozina, A. Leemans, J. Marino, J. Cruz, A. A. Golenkov, V. V. Dubich // Health, sport, rehabilitation. - 2019. - № 5(2). - С. 44-53. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/hsr_2019_5(2)__7
Попередній перегляд:   Завантажити - 682.654 Kb    Зміст випуску     Цитування
6.

Tsybrii Z. F. 
Infrared blocking materials [Електронний ресурс] / Z. F. Tsybrii, F. F. Sizov, A. G. Golenkov // Доповіді Національної академії наук України. - 2020. - № 2. - С. 24-28. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/dnanu_2020_2_6
Тонкі плівки AlN на гнучких полімерних підкладках тефлону та майлару характеризуються властивостями ефективних інфрачервоних (ІЧ) блокуючих фільтрів. Вони можуть придушувати теплові потоки від гарячих частин об'єктів (T ~ 300 - 500 K) і блокувати ІЧ випромінювання від них, але є прозорими у видимому, мікрохвильовому та ТГц спектральних діапазонах на відміну від спеціальних фарб, що демонструють відносно високу випромінювальну здатність в ІЧ області спектра.
Попередній перегляд:   Завантажити - 1.327 Mb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
 
Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів
Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського